پاورپوینت الکترونیک دیجیتال منطق CMOS
| دسته بندی | پاورپوینت |
| بازدید ها | 13 |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 1866 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 90 |
نوع فایل: پاورپوینت (قابل ویرایش)
قسمتی از متن پاورپوینت :
تعداد اسلاید : 90 صفحه
الکترونیک دیجیتال منطق CMOS مقدمه منطق CMOS مهمترین خانواده مدرات منطق بشمار میرود. این منطق از اینرو Complementary نامیده میشود که در آن به تعداد مساوی از ترانزیستورهای n-channel و p-channel استفاده شده است که بصورت مکمل هم کار میکنند.
مزیت غیر قابل رقابت آن در توان مصرفی بسیار ناچیز ترانزیستورها در حالت ایستاست. همچنین قابلیت مجتمع سازی بسیار بالا و سرعت زیاد آن باعث شده تا در اغلب وسایلی که از باتری استفاده میکنند نظیر کامپیوترهای قابل حمل و گوشی های تلفن همراه از این تکنولوژی استفاده شود. منطق CMOS یک تابع f(a,b,…x) را میتوان با استفاده دو مدار متمم مطابق شکل مقابل پیاده سازی نمود.
بازای ترکیب مورد نظر ورودی ها فقط یکی از مدارات pull up و یا pull down فعال شده و باعث میشود تا خروجی به منبع تغذیه و یا زمین وصل شود.
در منطق CMOS برای ساختن مدارات pull up از ترانزیستور های نوع p و برای ساختن مدارات pull down از ترانزیستور های نوع n استفاده میشود.
معکوس کننده CMOS گیت های پایه پیاده سازی تابع معکوس کننده CMOS یک معکوس کننده CMOS از یک ترانزیستور افزایشی NMOS و یک ترانزیستور افزایشی PMOS تشکیل میشود.
بازای ورودی VIN=0 ترانزیستور n قطع بوده و ترانزیستور p در ناحیه خطی است. لذا خروجی در منطق یک قرار گرفته و برابر است با VDD
بازای ورودی VIN=VDD ترانزیستور n در ناحیه خطی قرار گرفته و ترانزیستور p قطع است. لذا خروجی صفر است.
در هر دو حالت جریانی که از منبع کشیده میشود بسیار ناچیز و در حد جریان نشتی ناحیه قطع ترانزیستور است از اینرو توان مصرفی این گیت بسیار کم است.
اندازه هر ترانزیستور 1/10 ترانزیستور دو قطبی و 1/500 اندازه مقاومت است لذا امکان مجتمع سازی این وسیله بسیار زیاد است.
تاخیر گیت های CMOS امروزی در حد یپکوثانیه است.
تنها نقطه ضعف آنها تغذیه مدارات بیرونی است که از این لحاظ تکنولوژی دوقطبی هنوز بر CMOS برتری دارد. مشخصه انتقال ولتاژ وقتی ورودی مدار مقابل کمتراز Vt باشد ترانزیستور n قطع بوده و ترانزیستورp در ناحیه خطی خود عمل خواهد نمود. درنتیجه
VOH=VDD
با افزایش ورودی ترانزیستور n در ناحیه اشباع و ترانزیستور p در ناحیه خطی قرار میگیرد.
شرط اشباع ترانزیستور n برابر است با:
اگر این شرط برقرار باشد جریانی که از منبع کشیده میشود برابر با جریان اشباع ترانزیستور nخواهد شد:
مشخصه انتقال ولتاژ ولتاژ خروجی از رابطه زیر بدست می آید که در آن VDSPO ولتاژی منفی است.
بنابراین:
از آنجائیکه مقدار Vout از قبل معلوم نیست بعد از بدست آمدن آن باید شرایط اشباع ترانزیستور n و خطی بودن ترانزیستورp دوباره چک شود.
مشخصه انتقال ولتاژ با افزایش ولتاژ ورودی VIN ترانزیستور p نیز اشباع میشود. شرط اشباع هر دو ترانزیستور عبارت است از:
با اشباع هر دو ترانزیستور تعیین منحنی مشخصه انتقال بدون دانستن پارامترهای مدولاسیون کانال امکانپذیر نیست. یک راه ممکن درونیابی بین دو ناحیه مجاور منحنی مشخصه است. مشخصه انتقال ولتاژ با قرار گرفتن ترانزیستور n در ناحیه خطی و p در ناحیه اشباع جریان منبع برابر با جریان ترانزیستور p خواهد بود و خروجی برابر با VDS ترانزیستور n خواهد شد.
شرط اشباع ترانزیستور p و خطی بودن ترانزیستور n برابر است با:
تحت این شرایط داریم: مشخصه انتقال ولتاژ با نزدیک شدن ورودی به VDD ترانزیستور p قطع خواهد شد.
در این حالت جریان منبع صفر شده و خروجی نیز برابر صفر میشود.
ملاحظه میشود که میزان نوسان خروجی برابر با ولتاژ VDD خواهد شد. این خاصیت عملکرد rail-to-rail گیت CMOS نامیده میشود که ویژگی مهمی برای آن بشمار میرود. خلاصه منحنی مشخصه مثال تاخیر انتشار برای تخمین تاخیر انتشار گیت معکوس کننده مقابل فرض میشود که تغییر در ورودی بصورت پله ای باشد.
برای محاسبه t PHL فرض کنید که در لحظه t=0 ورودی از صفر به VDD تغییر کند. ترانزیستور n در لحظه t=0+ اشباع بوده و تا رسیدن خروجی به VDD-VT در اینحالت باقی میماند. در این زمان یک جریان ثابت از ترانزیستور n عبور خواهد نمود.
این ترانزیستور با رسیدن خروجی به مقدار
خطی میشود.
وقتی خروجی از VDD-VT کمتر میشود ترانزیستور n وارد ناحیه خطی خود میشود.
در این ناحیه میتوان ترانزیستور را با مقاومتی مدل نمود ...
توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دریافت می کنید.
پاورپوینت آزمون های کنترل کیفی دستگاههای رادیوگرافی دیجیتال
| دسته بندی | پاورپوینت |
| بازدید ها | 26 |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 7566 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 121 |
نوع فایل: پاورپوینت (قابل ویرایش)
قسمتی از متن پاورپوینت :
تعداد اسلاید : 121 صفحه
آزمون های کنترل کیفی دستگاههای رادیوگرافی دیجیتال کنترل کیفیت کنترل کیفی در 3 سطح انجام می شود:
1- توسط تکنولوژیست
آزمون های روزانه بدون اندازه گیری پرتو ها .
2 –توسط فیزیسیست
این آزمون ها، شامل دزیمتری و تنظیمات غیر مخرب نیز می شود.
3- توسط کارشناسان شرکت نصب کننده
تنظیمات نرم افزار و سخت افزار سیستم دوره زمانی آزمون های کنترل کیفی موارد زیر باید بطور روزانه توسط تکنولژیست کنترل و بررسی شود:
Intreface ها
Workstation
واسطه های PACS
ترمینال ID
قرائت گر CR دوره زمانی آزمون های کنترل کیفی آزمون های هفتگی یا 15 روز یکبار که باید توسط تکنولژیست انجام شود:
کالیبره کردن مونیتورهای Workstation (SMPTE)
کنترل با استفاده از تصویر فانتوم QC
کنترل فیلترها : باز کردن و در صورت نیاز تمیز کردن
تمیز کردن screen ها با استفاده از مواد شستشودهنده دوره زمانی آزمون های کنترل کیفی فصلی (تکنولژیست)
بررسی کاست ها و تمیز کردن آن با شوینده های توصیه شده
بازنگری آمار تکرار تصویر برداری وپرتودهی
بروز رسانی QC. log ، بازنگری tolerance ها. دوره زمانی آزمون های کنترل کیفی سالیانه (فیزیسیست)
انجام تست های
خطی بودن
Sinsitivity
یکنواختی
ارزیابی کیفیت تصویر
تهیه مجدد مقادیر baseline برای تست های پذیرش
بررسی تعداد پرتودهی های تکراری و گزارش تعمیرات آزمون های کنترل کیفی
Homogeneity
Dynamic Range,
Contrast Resolution
Threshold Contrast Detail Detectability,
Limiting Spatial Resolution
Geometry Distortion برای رادیوگرافی CR ) با سیستم فسفر( و دتکتور های flat panel آزمون های زیر پیشنهاد می شود: همچنین پیشنهاد می شود که آرتیفکت ، دز بیمار و نشانگر پرتودهی بررسی شود. آزمون های بهره برداری دستگاههای دیجیتال آزمون های مورد نیاز براساس ضوابط امور حفاظت در برابر اشعه در ایران یک نواختی (Homogeneity)
دامنه اندازه گیری (Dynamic Range)
قدرت تفکیک کنتراست (Threshold Contrast Resolution)
قدرت تفکیک فضائی (Limiting Spatial Resolution)
آرتیفکت(Artifact)
اعوجاج (Distortion)
مونیتورینگ شاخص حساسیت (Sensitivity Index Monitoring) فانتوم های کنترل کیفی
Leeds TO 20 Threshold Contrast Test Object
Leeds TOR 18 FG Test Object
Leeds TO M1 Geometry Test Object
Pehamed DIGRAD Phantom
Wellhofer DIGI-13 Phantom فانتوم های پیشنهادی برای کنترل کیفی رادیوگرافی CR ) با سیستم فسفر( و دتکتور های flat panel بشرح زیر می باشد: TO 20 - Leeds Test Objects Threshold Contrast - Digital Subtraction Fluoroscopy این ابزار برای ارزیابی کمی کیفیت تصویر طراحی شده و نتیجه آن را میتوان بروی منحنی شاخص آستانه آشکارسازی رسم نمود.
مشخصات:
Size range: 11mm to 0.25mm.
44 details: A range of 12 sizes, 12 contrasts.
Contrast range 0.0014 to 0.924 @ 70kV, 1.5mm Cu filtration مشخصات فانتوم های کنترل کیفی Leeds TOR 18 FG Test Object این ابزار برای:
تنظیم کنتراست و روشنائی مونیتور
اندازه گیری قدرت تفکیک (0.5 to 5.0LP/mm)
Low contrast detail detectibility ( دارای 18detail بقطر 8mm و دامنه کنتراست بین 0.009 تا 0.167 در ولتاژ 70kE با فیلتر 1mmCu) .
اندازه گیری circular geometry
مشخصات فانتوم های کنترل کیفی مشخصات فانتوم های کنترل کیفی Leeds mesh TO.MS# Leeds mesh TO.MS# از این ابزار شبیه به توری است و برای بررسی یکنواختی میدان اشعه استفاده می شود. Leeds TO M1 Geometry Test Object این ابزار برای بررسی Distortion بکار می رود.
یک ماتریس 15x15 مربعی می باشد که ابعاد هر مربع برابر با 2cmx2cm میباشد. مربعاتی که در وسط ماتریس قرار دارند بفاصله یک سانتیمتری مدرج شده اند. مشخصات فانتوم های کنترل کیفی Leeds jig test object TO.J3.
Log/Linear subtraction ADC and DAC operation:
. این ابزار برای انجام آزمون های زیر در دستگاههای آنژیوگرافی بکار می رود:
تنظیم روشنائی و کنتراست مونیتور و بررسی تکرار پذیری gray scale
تطابق و تکرار پذیری کنتراست و روشنائی hard copy
بررسی اثر ظهور ثبوت روی فیلم
روی این ابزار :
10 step wedge برای عبور اشعه با مقیاس خطی و
9 step wedge برای عبور اشعه با مقیاس لگاریتمی وجود دارد. مشخصات فانتوم های کنترل کیفی محاسبه اعوجاج ...
توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دریافت می کنید.
جزوه معماری کامپیوتر (دیجیتال2)
| دسته بندی | فنی و مهندسی |
| بازدید ها | 104 |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 12701 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 60 |
جزوه دست نویس با خط زیبا و رنگی دیجیتال دو یا معماری کامپیوتر
این جزوه حاصل مطالعه کتاب موریس مانو و سی جلسه کلاس درس دکتر مازیار گودرزی استاد دانشگاه صنعتی شریف و همچنین جزوات دیگر می باشد.
با توجه به اینکه همه مطالب و نکات درس دیجیتال دو (معماری کامپیوتر) در کتاب مشخصی به خوبی گرداوری نشده لذا این جزوه کامل و مفهومی را پیشنهاد می کنیم.
(به هرکی معرفی کردم نمره بالایی گرفته )
حتما حتما استفاده کنید
درضمن قابل استفاده برای دانشجویان برق و کامپیوتر می باشد.
دانلود فایل ورد(Word) پژوهش میکرو کنترلر های AVR و طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق
| دسته بندی | برق |
| بازدید ها | 69 |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 3600 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 86 |
عنوان پروژه : میکرو کنترلر های AVR و طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق
فرمت فایل اصلی : doc قابل ویرایش با ورد
تعداد صفحات : ۸۶
شرح مختصر پروژه :.هدف از انجام این پروژه طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق با استفاده از میکروکنترولر AT M32 می باشند. دستگاهی که طراحی و ساخته شده علاوه بر قسمت اتوماتیک دارای بخش است که می توان دما ، فن و هیتر را بصورت دستی تغییر وضعیت داد. تحقق این پروژه کمک شایانی به کنترل دما با دقت بالا در محل های کار ، کارخانجات و بخصوص کارخانه های جوجه کشی می باشد .
ریزکنترلگر یا میکروکنترلر نوعی ریزپردازنده است که دارای حافظهٔ دسترسی تصادفی (RAM) و حافظهٔ فقط خواندنی (ROM)، تایمر، پورت‌های ورودی و خروجی (I/O) و درگاه ترتیبی (Serial Port پورت سریال) در درون خود تراشه میباشد و می‌تواند به تنهایی بر روی ابزارهای دیگری کنترل اعمال کند. به عبارت دیگر یک میکرو کنترلر، مدار مجتمع کوچکی است که از یک CPU کوچک و اجزای دیگری نظیر نوسان ساز کریستالی، تایمر، درگاه‌های ورودی و خروجی آنالوگ و دیجیتال و حافظه تشکیل شده‌است.
یکی از جدید ترین میکروکنترلر های قوی عرضه شده به بازار الکترونیک متغلق به شرکت ATMEL به نام میکروکنترلرهای AVR می باشد این میکرو کنترلر هشت بیتی به علت وجود کامپایلر های قوی به زبان سطح بالا مورد استقبال فراوانی قرار گرفت یادگیری و استفاده از این میکروکنترلر بسیار ساده می باشد و دامنه استفاده آن بسیار وسیع می باشد .این پروژه در خصوص کنترل دما تابلو های برق می باشد که می توان برای ماشینهای جوجه کشی ، محل کار ، تابلو های برق و غیره میتوان استفاده کرد. در این پروژه در فصل اول ،توضیح مختصری راجع به میکرو کنترلر های AVR آورده شده است .در فصل دوم، یک توضیح راجع به برنامه bascom ،در فصل سوم انواع سنسورهای دما را می خوانید .درفصل چهارم ،طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق وشکل مدار و برنامه نوشته شده در میکرو آورده شده است. درفصل پنجم ، نتیجه گیری ازمطالب بیان شده ،آورده شده است.
نکته ای که در صنعت بسیار مهم به نظر می رسد اندازه گیری پارامتر هایی مثل دما ، فشار و میزان جابه جایی اجسام و … می باشد که کار ها توسط سنسور های مختلف انجام می شود اما روز به روز بر تعداد سنسورها افزوده شده و سنسورهای بهتر با قابلیت های بیشتری به بازار عرضه می گردد و همچنین دستگاه هایی که توسط میکرو کنترلر ها ساخته می شود داری انواع مختلفی بوده و کارهای متفاوتی انجام می دهند یکی ازاین دستگاه ها دستگاه کنترل دمای تابلو و اتاقک ها می باشند که توسط میکروکنترلر ها و حتی بردهای الکترونیکی نیز ساخته می شوند.
در ادامه فهرست مطالب پروژه میکرو کنترلر های AVR و طراحی و ساخت کنترل دمای دیجیتالی تابلوهای برق را مشاهده میفرمایید :
چکیده
مقدمه
فصل ۱- مقدمه ای بر AVR
۱-۱- میکرو کنترل های TINY AVR
۱-۲- میکرو کنترلرهای AT90S
۱-۳- میکروکنترلر های MEGAAVR
۱-۴- خصوصیات داخلی MEGA
۱-۴-۱- کلاک سیستم
فصل ۲- برنامه BASCOM
۲-۱- محیط برنامه
۲-۲- محیط برنامه نویسی
فصل ۳- سنسورهای دما
۳-۱- ترمومترهای شیشه ای(مایعی)
۳-۲- ترمومتر های بی متال
۳-۳- ترمومترهای فشاری
۳-۴- ترموکوپل
۳-۵- اندازه گیری دما از طریق تغییر مقاومت اهمی
۳-۶- سنسور LM35
فصل ۴- طراحی و ساخت یک کنتر ل دمای دیجیتالی تابلو های برق
۴-۱- توضیح برنامه نوشته شده
۲-۴- شکل مدارو توضیحاتی در مورد آن
فصل ۵- نتیجه گیری
منابع
دانلود فایل word پژوهش ذخیره کننده های اطلاعات دیجیتالی و انواع حافظه
| دسته بندی | کامپیوتر و IT |
| بازدید ها | 31 |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 142 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 139 |
مشخصات مقاله: عنوان کامل: نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی دسته: فناوری اطلاعات و کامپیوتر فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات پروژه: ۱۳۹
چکیده ای از مقدمه آغازین ” پژوهش ذخیره کننده های اطلاعات دیجیتالی و انواع حافظه ” بدین شرح است:
در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها ، چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم.
هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) ، در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. … هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد، الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر میباشد.
از آنجایی که فرآیند ضبط مستلزم یک تغییر در جهت استپین‌های الکترون است ، فرآیند به طور نا محدود معکوس پذیر است و اطلاعات جدید ممکن است فوراً بدون هیچ فرآیندی توسعه لازم را داشته باشد. این مقاله با توسعه خواص مغناطیسی مواد ضبط می‌پردازد که از ۱۹۷۵ رخ داده اند.
قدیمی ترین مواد ضبط مغناطیسی عبارت بودند از سیم‌های فولاد زنگ نزن ۱۲% نیکل و ۱۲% کروم ، که طوری آبکاری آنیلینگ شده بودند که ذرات تک حوزه از فاز مزیتی در یک شبکه آستنیت رسوب می‌کردند. پسماند زدایی تا Oe300-200 به این طریق به آسانی به دست می‌آید.
چکیده
مقدمه
فصل اول ) نانوتکنولوژی :
1-1- آغاز نانوتکنولوژی
1-2- نانوتکنولوژی از دیدگاه جامعه شناختی
1-3- نانوتکنولوژی و میکرو الکترونیک
1-4- فنآوری نانو و فیزیک الکترونیک
فصل دوم ) الکترونیک مغناطیسی
2-1- پیش گفتار
2-2- انتقال وابسته به اسپین
2-3- اصول اولیه
2-4- ثبت مغناطیسی
2-5- حافظه‌های غیر فرار
2-6- کاربردهای آتی
فصل سوم ) مقاومت مغناطیسی و الکترونیک اسپینی
3-1- پیش گفتار
3-2- مقدمه
3-3- مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR)
3-4- معکوس مغناطیسی سازی با تزریق اسپینی
3-5- مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)
فصل چهارم ) حافظه دسترسی اتفاقی (RAM):
4-1- مبانی اصول اولیه
4-2- مرور کلی
4-3- پیشرفت‌های اخیر
4-4- جداره حافظه
4-5- حافظه دسترسی اتفاقی Shodow
4-6- بسته بندی DRAM
فصل پنجم ) حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAM):
5-1- مشخصات کلی
5-2- مقایسه با سایر سیستم‌ها
5-2: الف) چگالی اطلاعات
5-2: ب) مصرف برق
5-2: ج) سرعت
5-3- کلیات
5-4- تاریخ ساخت حافظه‌ها
5-5- کاربردها
فصل ششم ) حافظه فقط خواندنی (ROM):
6-1- تاریخچه
6-2- کاربرد ROM برای ذخیره سازی برنامه
6-3- حافظه ROM برای ذخیره سازی داده‌ها
6-4- سایر تکنولوژی‌ها
6-5- مثال‌های تاریخی
6-6- سرعت حافظه‌های ROM
6-6: الف) سرعت خواندن
6-6: ب) سرعت نوشتن
6-7- استقامت و حفظ اطلاعات
6-8- تصاویر ROM
فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطیسی :
7-1- تاریخچه و سابقه ضبط کردن مغناطیسی
فصل هشتم ) مواد برای واسطه‌های ضبط مغناطیسی :
8-1- اکسید فریک گاما
8-2- دی اکسد کروم
8-3 اکسید فزیک گاما تعدیل شده به واسطه سطح کبالت
فصل نهم ) دیسک‌های مغناطیسی :
9-1- سازماندهی دیسک‌ها
9-2- برآورد ظرفیت‌ها و فضای مورد نیاز
9-3- تنگنای دیسک
9-4- فری مغناطیس
فصل دهم ) نوار‌های مغناطیسی :
10-1- کاربرد نوار مغناطیسی
10-2- مقایسه دیسک و نوار مغناطیسی
فصل یازدهم) فلاپی دیسک :
11-1- مبانی فلاپی درایو
11-2- اجزای یک فلاپی دیسک درایو
11-2: الف ) دیسک
11-2: ب) درایو
11-3 نوشتن اطلاعات بر روی یک فلاپی دیسک
فصل دوازدهم )هارد دیسک چگونه کار می‌کند :
12-1- اساس‌هارد دیسک
12-2- نوار کاست در برابر‌هارد دیسک
12-3- ظرفیت و توان اجرایی
12-4- ذخیره اطلاعات
فصل سیزدهم ) فرآیند ضبط کردن و کاربردهای ضبط مغناطیسی :
13-1 هدف‌های ضبط
13-2- کارآیی هد نوشتن
13-3- فرآیند هد نوشتن
13-4- فرآیند خواندن
نتیجه گیری و پیشنهادات
پیوست الف )
منابع و مآخذ